Ổ cứng SSD Sam Sung

Mô tả tóm tắt:
SSD Samsung 860 EVO (MZ-N6E500BW)
- Dung lượng: 500GB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: M.2 2280
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
SSD Samsung 860 EVO (MZ-N6E500BW)
- Dung lượng: 500GB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: M.2 2280
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
SSD Samsung 860 EVO (MZ-N6E250BW)
- Dung lượng: 250GB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: M.2 2280
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 4TB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5"
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 2TB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5"
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 1TB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5"
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 2TB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5 inch
- Tốc độ đọc: 560MB/s
- Tốc độ ghi: 530MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 1TB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5 inch
- Tốc độ đọc: 560MB/s
- Tốc độ ghi: 530MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 512GB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5 inch
- Tốc độ đọc: 560MB/s
- Tốc độ ghi: 530MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 256GB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5 inch
- Tốc độ đọc: 560MB/s
- Tốc độ ghi: 530MB/s

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 2TB
- Bộ nhớ đệm: 2GB LPDDR4
- Kích thước: M.2 (2280)
- Giao diện: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- Tốc độ đọc/ghi: 3500/2500 MB/s
- Tốc độ đọc/ ghi ngẫu nhiên: 500.000/480.000 IOPS
- Điện năng tiêu thụ: 6W (Trung bình), 10W (Tối đa)
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 1TB
- Bộ nhớ đệm: 1GB LPDDR4
- Kích thước: M.2 (2280)
- Giao diện: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- Tốc độ đọc/ghi: 3400/2500 MB/s
- Tốc độ đọc/ ghi ngẫu nhiên: 500.000/450.000 IOPS
- Điện năng tiêu thụ: 6W (Trung bình), 10W (Tối đa)
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 500GB
- Bộ nhớ đệm: 512MB LPDDR4
- Kích thước: M.2 (2280)
- Giao diện: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- Tốc độ đọc/ghi: 3400/2300 MB/s
- Tốc độ đọc/ ghi ngẫu nhiên: 370.000/450.000 IOPS
- Điện năng tiêu thụ: 5.7W (Trung bình), 10W (Tối đa)
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 250GB
- Bộ nhớ đệm: 512MB LPDDR4
- Kích thước: M.2 (2280)
- Giao diện: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
- Tốc độ đọc/ghi: 3400/1500 MB/s
- Tốc độ đọc/ ghi ngẫu nhiên: 200.000/350.000 IOPS
- Điện năng tiêu thụ: 5.4W (Trung bình), 10W (Tối đa)
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).

Mô tả tóm tắt:
SSD Samsung 860 EVO (MZ-76E250BW)
- Dung lượng: 250GB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Kích thước: 2.5"
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
SSD Samsung 860 EVO (MZ-76E500BW)
- Dung lượng: 500GB
- Chuẩn giao tiếp: Sata III 6Gbit/s
- Tốc độ đọc: 550MB/s
- Kích thước: 2.5"
- Tốc độ ghi: 520MB/s

Mô tả tóm tắt:
SSD Samsung 960EVO 250GB (MZ-V6E250BW)
- Chip Samsung V-NAND 3bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.2 (partial)
- DRAM cache memory :
+ 512MB LP DDR3 cho 250GB & 500GB

+ 1GB LP DDR3 cho 1TB
- Bảo mật dữ liệu :

+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).

+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).
- Tốc độ đọc: 3200 MB/s
- Tốc độ ghi: 1500 MB/s (250GB), 1800MB/s (500GB), 1900MB/s (1TB).

Mô tả tóm tắt:
SSD Samsung 960EVO 500GB NVMe M.2 (MZ-V6E500BW)
- Chip Samsung V-NAND 3bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.2 (partial)
- DRAM cache memory : 512MB LP DDR3
- Bảo mật dữ liệu :

+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).

+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).
- Tốc độ đọc: 3200 MB/s
- Tốc độ ghi: 1800MB/s (500GB).

Mô tả tóm tắt:
- Chip Samsung V-NAND 3bit MLC.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.2 (partial)
- DRAM cache memory : 1GB LP DDR3 cho 1TB
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).

+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).
- Tốc độ đọc: 3200 MB/s
- Tốc độ ghi: 1900MB/s (1TB).

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 256GB | Kết nối: NVME M2 | Tốc độ Đọc/Ghi: 2200 MBps / 900MBps | Tuổi thọ: 2 triệu giờ |
- Hiệu năng cao, đáp ứng nhu cầu cả những ứng dụng nặng
- Chip nhớ công nghệ 3D V-NAND tối ưu hóa tốc độ và tiết kiệm điện năng.
- Bảo vệ an toàn dữ liệu với cơ chế mã hóa AES 256-bit, TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- Chống rung, chống Shock và hoạt động cực êm
- Các tiêu chuẩn: UL, CE, C-Tick, KCC, BSMI, VCCI, WHCK, RoHS

Mô tả tóm tắt:
- Dung lượng: 512GB | Kết nối: NVME M2 | Tốc độ Đọc/Ghi: 2500 MBps / 1500MBps | Tuổi thọ: 2 triệu giờ |
- Hiệu năng cao, đáp ứng nhu cầu cả những ứng dụng nặng
- Chip nhớ công nghệ 3D V-NAND tối ưu hóa tốc độ và tiết kiệm điện năng.
- Bảo vệ an toàn dữ liệu với cơ chế mã hóa AES 256-bit, TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- Chống rung, chống Shock và hoạt động cực êm
- Các tiêu chuẩn: UL, CE, C-Tick, KCC, BSMI, VCCI, WHCK, RoHS